Физический факультет НГУ

LoginRegister

Кафедра физики полупроводников НГУ

Латышев Александр ВасильевичЗаведующий кафедрой: академик РАН, д.ф.-м.н., профессор Латышев Александр Васильевич,
e-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript .

Секретарь кафедры: к.ф.-м.н. Родякина Екатерина Евгеньевна,
e-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript , тел: (383) 330-90-82.

E-mail кафедры: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
телефон кафедры: (383)330-88-90

Направление подготовки:
03.03.02 Физика (уровень бакалавриата)
03.04.02 Физика (уровень магистратуры)
03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации - аспирантура)
Специализации магистратуры: Физика полупроводников и микроэлектроника
Специализация аспирантуры: Физика полупроводников, Физика конденсированного состояния

Базовый институт: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения российской академии наук (ИФП СО РАН), (сайт: http://www.isp.nsc.ru).

 

Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета (НГУ) основана академиком Анатолием Васильевичем Ржановым, который и возглавлял ее более 20 лет. С 1990 по 2010 годы кафедрой бессменно руководил заслуженный деятель науки РФ д.ф.-м.н. профессор Александр Сергеевич Терехов, а с 2010 года кафедру возглавил академик РАН Александр Васильевич Латышев.

С момента образования основная задача кафедры физики полупроводников – подготовка специалистов высшей категории для проведения научных исследований на мировом уровне с применением современных методов исследований в области физики конденсированного состояния, физики полупроводников и диэлектриков, физики твердого тела, физики низкоразмерных систем, опто- и наноэлектроники, микросенсорики, твердотельной нанофотоники, квантовой электроники и квантовых компьютеров.

Все выпускники кафедры получают знания и навыки по физико-химическим основам микро-, опто, и наноэлектроники, осваивают современные полупроводниковые технологии, включая технологии эпитаксиального роста тонких пленок, комплексной диагностики систем пониженной размерности, наноструктурирования и полупроводниковых нанотехнологий.

Система подготовки специалистов - трехуровневая:

первая ступень - основное базовое четырехлетнее образование завершается защитой квалификационной работы бакалавра;
вторая - двухгодичная магистратура, с защитой магистерской диссертации;
третья – четырехгодичная аспирантура, с защитой выпускной квалификационной работы, которая может быть основой диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук по соответствующим специальностям.

Выпускники кафедры являются подготовленными научными исследователями, способные решать физическими методами современные научные задачи, имеющие навыки преподавать дисциплины физико-математического профиля в ВУЗах и колледжах. Лучшие выпускники магистратуры проходят обучение в аспирантуре и могут защитить диссертацию на соискание степени кандидата физико-математических наук.

Программы обучения на кафедре, предусматривают получение студентами базовых знаний по физике конденсированного состояния, а также необходимых умений и навыков практической работы в области современных полупроводниковых технологий. Особое внимание уделяется способам создания и изучения электронных, оптических и структурных свойств полупроводниковых микро- и нанообъектов, включая одноэлектронику, однофотонику, спинтронику и т.д., исследованию элементарных процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев и развитию физических основ приборостроения, материаловедения и диагностики полупроводников.

Научно-исследовательская работа студентов проводится в базовом институте кафедры в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН), который является известным междисциплинарным исследовательским центром, интегрированным в международное научное сообщество, который совмещает достижения в области фундаментальных исследований с практической реализацией высокотехнологических инновационных разработок, востребованных современной экономикой, и с подготовкой высококвалифицированных научных исследователей и инженерно-технических специалистов.

Подготовка специалистов на кафедре реализуется известными российскими научными школами, получившими мировое признание. Высокий уровень подготовки специалистов на кафедре физики полупроводников обеспечивается оптимальным выбором обновляемых спецкурсов, правильным сочетанием экспериментальных и теоретических методов с широким использованием компьютерной техникисовременного научного и технологического оборудования, учебной литературы. Спецкурсы на кафедре ведутся высококвалифицированным профессорско-преподавательским составом, в котором семь докторов физ.-мат. наук, трое из них являются членами Российской академии наук, и пять кандидатов физ.-мат. наук.

В настоящее время студенты проводят исследования атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, в том числе, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками, исследуют квантовые свойства гетероэпитаксиальных структур и их приложения для получения нового поколения наноэлектроники и систем оптоэлектроники; создают и исследуют новые материалы для электроники, в том числе СВЧ-электроники, силовой электроники и сенсорики, изучают графен, слоистые полупроводники типа MoS2, срощенные структуры А3В5 - кремний, тонкие слои кремния на изоляторе, кристаллы алмаза и алмазоподобные пленки; разрабатывают полупроводниковые наносистемы для нано- и биосенсоров; проводят исследования в области квантовой информатики.

Программа обучения на кафедре предусматривает получение студентами базовых знаний по физике, технике и материаловедению полупроводников, а также необходимых умений и навыков практической работы в области современных высоких технологий. Студенты, специализирующиеся на кафедре физики полупроводников, в дополнение к имеющимся традиционным возможностям использования уникального аналитического и технологического оборудования в ИФП СО РАН, имеют возможность работать на современном экспериментальном оборудовании ведущих мировых производителей в научно-образовательном комплексе «Наносистемы и современные материалы» при НГУ и центре коллективного пользования диагностическим оборудованием (ЦКП «Наноструктуры» (сайт: http://www.isp.nsc.ru/ckp/) ) при ИФП СО РАН для выполнения исследований в рамках дипломных и диссертационных работ.

За время существования кафедры на ней специализировались и защитили дипломные работы более 500 студентов, из них более 100 защитили кандидатские, а 16 - докторские диссертации (6 докторов наук - выпускников кафедры, ведут преподавательскую деятельность на кафедре). Среди выпускников – члены Российской академии наук и лауреаты Государственных премий.

Базовые институты

Институт автоматики и электрометрии СО РАН

Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН

Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН

Институт лазерной физики СО РАН

Института математики им. С.Л. Соболева СО РАН

Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН

Институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН

Институт систем информатики им. А.П. Ершова СО РАН

Базовые институты

Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН

Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН

Институт химической кинетики и горения СО РАН

Институт цитологии и генетики СО РАН

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН

Международный томографический центр

Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН

Базовые институты

Институт твердого тела и механохимии СО РАН

Институт этнологии и этнографии СО РАН

Институт проблем безопасного развития атомной энергетики СО РАН

Институт нефтегазовой геологии и геофизики им. А.А. Трофимчука СО РАН

Институт молекулярной и клеточной биологии СО РАН

Сколковский институт науки и технологий

Институт хроматографии "ЭкоНова"

Копирайт

Материалы портала предназначены исключительно для личного использования без права передачи третьим лицам. Подготовлены для сервера Физического факультета НГУ. Запрещается размещать, передавать, копировать, перетранслировать на любых других серверах, кроме сервера Физического факультета НГУ.

Login

Register

*
*
*
*
*

* Field is required