Заведующий кафедрой: академик РАН, д.ф.-м.н., профессор Латышев Александр Васильевич,
e-mail:
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
.
Секретарь кафедры: к.ф.-м.н. Родякина Екатерина Евгеньевна,
e-mail:
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
, тел: (383) 330-90-82.
E-mail кафедры:
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
телефон кафедры: (383)330-88-90
Направление подготовки:
03.03.02 Физика (уровень бакалавриата)
03.04.02 Физика (уровень магистратуры)
03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации - аспирантура)
Специализации магистратуры: Физика полупроводников и микроэлектроника
Специализация аспирантуры: Физика полупроводников, Физика конденсированного состояния
Базовый институт: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения российской академии наук (ИФП СО РАН), (сайт: http://www.isp.nsc.ru).
Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета (НГУ) основана академиком Анатолием Васильевичем Ржановым, который и возглавлял ее более 20 лет. С 1990 по 2010 годы кафедрой бессменно руководил заслуженный деятель науки РФ д.ф.-м.н. профессор Александр Сергеевич Терехов, а с 2010 года кафедру возглавил академик РАН Александр Васильевич Латышев.
С момента образования основная задача кафедры физики полупроводников – подготовка специалистов высшей категории для проведения научных исследований на мировом уровне с применением современных методов исследований в области физики конденсированного состояния, физики полупроводников и диэлектриков, физики твердого тела, физики низкоразмерных систем, опто- и наноэлектроники, микросенсорики, твердотельной нанофотоники, квантовой электроники и квантовых компьютеров.
Все выпускники кафедры получают знания и навыки по физико-химическим основам микро-, опто, и наноэлектроники, осваивают современные полупроводниковые технологии, включая технологии эпитаксиального роста тонких пленок, комплексной диагностики систем пониженной размерности, наноструктурирования и полупроводниковых нанотехнологий.
 |
 |
Система подготовки специалистов - трехуровневая:
первая ступень - основное базовое четырехлетнее образование завершается защитой квалификационной работы бакалавра;
вторая - двухгодичная магистратура, с защитой магистерской диссертации;
третья – четырехгодичная аспирантура, с защитой выпускной квалификационной работы, которая может быть основой диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук по соответствующим специальностям.
Выпускники кафедры являются подготовленными научными исследователями, способные решать физическими методами современные научные задачи, имеющие навыки преподавать дисциплины физико-математического профиля в ВУЗах и колледжах. Лучшие выпускники магистратуры проходят обучение в аспирантуре и могут защитить диссертацию на соискание степени кандидата физико-математических наук.
Программы обучения на кафедре, предусматривают получение студентами базовых знаний по физике конденсированного состояния, а также необходимых умений и навыков практической работы в области современных полупроводниковых технологий. Особое внимание уделяется способам создания и изучения электронных, оптических и структурных свойств полупроводниковых микро- и нанообъектов, включая одноэлектронику, однофотонику, спинтронику и т.д., исследованию элементарных процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев и развитию физических основ приборостроения, материаловедения и диагностики полупроводников.
Научно-исследовательская работа студентов проводится в базовом институте кафедры в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН), который является известным междисциплинарным исследовательским центром, интегрированным в международное научное сообщество, который совмещает достижения в области фундаментальных исследований с практической реализацией высокотехнологических инновационных разработок, востребованных современной экономикой, и с подготовкой высококвалифицированных научных исследователей и инженерно-технических специалистов.
 |
 |
 |
 |
Подготовка специалистов на кафедре реализуется известными российскими научными школами, получившими мировое признание. Высокий уровень подготовки специалистов на кафедре физики полупроводников обеспечивается оптимальным выбором обновляемых спецкурсов, правильным сочетанием экспериментальных и теоретических методов с широким использованием компьютерной техникисовременного научного и технологического оборудования, учебной литературы. Спецкурсы на кафедре ведутся высококвалифицированным профессорско-преподавательским составом, в котором семь докторов физ.-мат. наук, трое из них являются членами Российской академии наук, и пять кандидатов физ.-мат. наук.
В настоящее время студенты проводят исследования атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, в том числе, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками, исследуют квантовые свойства гетероэпитаксиальных структур и их приложения для получения нового поколения наноэлектроники и систем оптоэлектроники; создают и исследуют новые материалы для электроники, в том числе СВЧ-электроники, силовой электроники и сенсорики, изучают графен, слоистые полупроводники типа MoS2, срощенные структуры А3В5 - кремний, тонкие слои кремния на изоляторе, кристаллы алмаза и алмазоподобные пленки; разрабатывают полупроводниковые наносистемы для нано- и биосенсоров; проводят исследования в области квантовой информатики.
Программа обучения на кафедре предусматривает получение студентами базовых знаний по физике, технике и материаловедению полупроводников, а также необходимых умений и навыков практической работы в области современных высоких технологий. Студенты, специализирующиеся на кафедре физики полупроводников, в дополнение к имеющимся традиционным возможностям использования уникального аналитического и технологического оборудования в ИФП СО РАН, имеют возможность работать на современном экспериментальном оборудовании ведущих мировых производителей в научно-образовательном комплексе «Наносистемы и современные материалы» при НГУ и центре коллективного пользования диагностическим оборудованием (ЦКП «Наноструктуры» (сайт: http://www.isp.nsc.ru/ckp/) ) при ИФП СО РАН для выполнения исследований в рамках дипломных и диссертационных работ.
За время существования кафедры на ней специализировались и защитили дипломные работы более 500 студентов, из них более 100 защитили кандидатские, а 16 - докторские диссертации (6 докторов наук - выпускников кафедры, ведут преподавательскую деятельность на кафедре). Среди выпускников – члены Российской академии наук и лауреаты Государственных премий.