Физический факультет НГУ

LoginRegister

Кафедра физики полупроводников НГУ

Заведующий кафедрой: чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н. Латышев Александр Васильевич (e-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript , тел.: (383) 333-10-80).

Секретарь кафедры: м.н.с., к.ф.-м.н. Родякина Екатерина Евгеньевна, e-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript , тел: (383) 330-90-82.

Направление подготовки: 510104 физика полупроводников, микроэлектроника.

Базовый институт: Институт физики полупроводников СО РАН.

 

Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета (НГУ) основана академиком Анатолием Васильевичем Ржановым, который и возглавлял ее более 20 лет. С момента образования кафедра готовит высококвалифицированных исследователей в области физики и техники полупроводников, создания и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур, а также эпитаксиального роста тонких пленок., т.е. по всем основным направлениям научных исследований Института физики полупроводников СО РАН - базового для подготовки специалистов на кафедре физики полупроводников.

Система подготовки специалистов - двухуровневая : первая ступень - основное базовое четырехлетнее образование завершается защитой квалификационной работы бакалавра, вторая - двухгодичная магистратура, с защитой магистерской диссертации.

Выпускники кафедры подготовлены для работы в области физики и техники полупроводников, физики структур пониженной размерности, процессов микро- и нанотехнологии, физико-химии и технологии поверхности и межфазных границ, микро- и наноэлектроники. Выпускники кафедры могут работать также преподавателями дисциплин физико-математического профиля в школах, колледжах и вузах России. Лучшие выпускники магистратуры проходят обучение в аспирантуре.

Научно-исследовательская работа студентов проводится в базовом институте кафедры - Объединенном институте физики полупроводников (ОИФП) СО РАН (Генеральный директор ОИФП - чл.-корр. РАН Свиташев К.К., директор ИФП- д.ф-м.н. Асеев А.Л.)

Подготовка специалистов на кафедре реализуется известными российскими научными школами, получившими мировое признание, а также в рамках учебно-научного центра "Технология и физика полупроводниковых наноструктур", созданного и функционирующего в рамках федеральной целевой программы "Интеграция".

Высокий уровень подготовки специалистов на кафедре физики полупроводников обеспечивается оптимальным выбором постоянно обновляемых спецкурсов, правильным сочетанием экспериментальных и теоретических методов с широким использованием компьютерной техники, наличием высококвалифицированного профессорско- преподавательского состава, современного научного и технологического оборудования, учебной литературы.

Программа обучения на кафедре предусматривает получение студентами базовых знаний по физике, технике и материаловедению полупроводников, а также необходимых умений и навыков практической работы в области современных высоких технологий. Особое внимание при этом уделяется способам создания и изучения электронных , оптических и структурных свойств полупроводниковых микро- и нанообъектов, физико-химии и атомной инженерии поверхности и границ раздела, исследованию элементарных процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев.

Студенты, специализирующиеся на кафедре, имеют возможность работать на высококлассном современном экспериментальном оборудовании ведущих мировых производителей, а также на уникальных физических и технологических комплексах собственного изготовления, которыми располагает ИФП СО РАН:

установки для молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников (Si, Ge), полупроводниковых соединений III-V (GaAs, InAs, AlAs), полупроводниковых соединений II-VI ( CdTe,HgTe) типа "Катунь";
установки для молекулярно-лучевой эпитаксии соединений III-V типа MBE-1000, MBE-32, CBE-32 фирмы Riber;
просвечивающий электронный микроскоп с атомным разрешением (JEOL)
сканирующий туннельный микроскоп (Riber)
сверхвысоковакуумные комплексы для исследования поверхности твердых тел методами электронной и рентгеновской спектроскопии типа SSC и Nanoscan (Riber), ESCALAB (VG);
установки электронной литографии (Ziess);
спектрофотометры и спктроэллипсометры (Jobin -Yvon)
ИК фурье-спектрометры (Bruker);
свехвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп;
установка для получения сверхнизких температур (Cambrige Instruments)

Кафедра имеет научные связи с другими родственными кафедрами вузов России, а также исследовательскими лабораториями в области физики полупроводников и микроэлектроники . Среди них кафедры физики полупроводников Томского и Омского государственных университетов, Новосибирского государственного технического университета ,ФТИ РАН им. А.Ф.Иоффе ( г. Санкт-Петербург) , Физического института РАН ( г. Москва).

За время существования кафедры на ней специализировались и защитили дипломные работы более 400 студентов, из них более 100 защитили кандидатские, а 16 - докторские диссертации ( 5 докторов наук - выпускников кафедры, ведут преподавательскую деятельность на кафедре). Среди выпускников кафедры - лауреаты Государственных премий СССР и России.

 

чл.-корр. РАН Латышев Александр Васильевич

Латышев Александр Васильевич

тел.: (383) 333-10-80
e-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

Копирайт

Материалы портала предназначены исключительно для личного использования без права передачи третьим лицам. Подготовлены для сервера Физического факультета НГУ. Запрещается размещать, передавать, копировать, перетранслировать на любых других серверах, кроме сервера Физического факультета НГУ.

Login

Register

*
*
*
*
*

* Field is required